Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.
В НИТУ МИСИС прошла международная школа-конференция, посвящённая высокоэнтропийным сплавам
НИТУ МИСИС — на международном форуме выпускников советских и российских вузов в Дар-эс-Саламе
Полупрозрачная солнечная панель
Эксперты на главной стратегической сессии