Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.
Проекты магистратуры ArtTECH — на фестивале-форуме «Территория будущего. Москва 2030»
Университет МИСИС вновь подтвердил лидерство по металлургии
студенты МИСИС
Главный корпус НИТУ МИСИС