Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.
Студенты НИТУ МИСИС, лауреаты стипендии Президента и Правительства РФ, на церемонии награждения вместе с заместителем Министра науки и высшего образования РФ Ольгой Петровой