Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.
Стоп, кариес: в НИТУ МИСИС предложили новое решение для лечения зубов
Проекты студентов ArtTECH — на выставке в Объединённом институте ядерных исследований
Микронное армирование: на шаг ближе прорыв в аддитивном производстве материалов для высокотехнологичных отраслей