Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.
Цемент для огнеупорных материалов и специального строительства
Пленарное заседание «Стратегическое партнёрство России и Китая: расширение научно-образовательного сотрудничества»
К.х.н. Александр Кустов, старший научный сотрудник лаборатории нанохимии и экологии НИТУ МИСИС.
Команда молодых исследователей Института физики и квантовой инженерии, победивших на хакатоне