Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.
Университет МИСИС — на XIV Всероссийском съезде СМУ и СНО
Коллектив исследователей НИТУ МИСИС во главе с Александром Ерофеевым
Кристина Котякова с образцом антибактериального пластыря в лаборатории НИТУ МИСИС
В Университете МИСИС обсудили роль производственной аспирантуры в развитии высокотехнологичных отраслей