Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.
Сергей Салихов на съезде ВОИР: «Студенческие разработки должны доходить до практического внедрения!»
Учёные кафедры физического материаловедения МИСИС
Алексей Карфидов на форуме НОВАМЕД-2026 представляет разработки НИТУ МИСИС
Подписание меморандума