Цель
Создание в НИТУ МИСИС научного коллектива и инфраструктуры (центра компетенции и подготовки кадров высшей научной квалификации) для разработки, доведения до уровня действующих пилотных установок, тестирования и применения образцов передовой отечественной техники и методов электронной микроскопии, спектроскопии, рентгеновской томографии и других сопряженных методов исследования структуры вещества и особенностей протекания сложных физико-химических процессов с микро- и нанометрическим разрешением.
Задачи
- Разработка востребованных технологических продуктов мирового уровня и ускорение их внедрения в экономику страны.
- Проведение исследований материалов и физико-химических процессов с микро- и нанометрическим разрешением, в том числе ex situ, in situ и operando, в интересах научных групп, экспертных организаций и промышленных предприятий.
- Разработка, сборка и отладка передовых образцов отечественной техники рентгеновской томографии и сопряженных методов, в том числе на базе существующих сканирующих электронных микроскопов, рентгеновских источников, позиционеров и детекторов, а также отечественных установок мирового уровня.
- Создание уникальных научных установок для исследования характеристик материалов и систем на их основе при различных параметрах эксплуатации, а также установление оптимальных режимов их функционирования.
- Обеспечение экономики мультидисциплинарными специалистами. Создание научно-педагогического коллектива для подготовки кадров высшей квалификации (магистров, аспирантов, специалистов науки и промышленности) непосредственно в процессе разработки, сборки, отладки и освоения образцов отечественной техники и сопряженных методов исследования вещества и процессов микро- и нанометрическим разрешением, в т.ч. ex situ, in situ и operando.
- Создание образовательных программ, в том числе дополнительного профессионального образования для подготовки кадров высшей квалификации (магистров, аспирантов, специалистов промышленности) в области передовых методов исследования материалов и процессов.
Партнеры лаборатории
Сотрудники лаборатории во взаимодействии с научными партнерами из ОИЯИ, ИЯФ им. Г.И. Будкера СО РАН, ННЦ «Курчатовский институт» (КИСИ-Курчатов), ФИЦ ПХФ и МХ РАН, МФТИ, Университета «Сириус» создают и тестируют образцы отечественной техники и методов томографии и сопряженных рентгеновских и других методов открытого доступа: специальных устройств, методик, конфигураций, ПО и симуляторов синхротронного эксперимента в том числе в области перспективной энергетики (водородная энергетика, натриевые и литиевые аккумуляторы, суперконденсаторы, солнечная фотовольтаика).
На базе лаборатории проводится дополнительная профессиональная подготовка повышения квалификации по нескольким направлениям.
1. «Современные методы и практика Ионного травления для нанотомографии». Трудоёмкость программы 36 часов. Программа соответствует программам высшего образования по направлениям подготовки: 03.04.02 «Физика», 22.04.01 «Материаловедение и технологии материалов».
2. «Передовые методы анализа электронно-микроскопических цифровых изображений». Программа реализуется с использованием уникального научного оборудования лаборатории. Трудоёмкость программы 72 часа. Программа соответствует программам высшего образования по направлениям подготовки: 03.04.02 «Физика», 22.04.01 «Материаловедение и технологии материалов».
3. «Микроанализ ориентации кристаллов и определение микротекстуры в поликристаллических материалах». Программа реализуется с использованием уникального научного оборудования лаборатории. Трудоёмкость программы 72 часа. Программа соответствует программам высшего образования по направлениям подготовки: 03.04.02 «Физика», 22.04.01 «Материаловедение и технологии материалов».
4. «Метод микро-кольцевого ионного травления для определения остаточных напряжений». Программа реализуется с использованием уникального научного оборудования лаборатории. Трудоёмкость программы 72 часа. Программа соответствует программам высшего образования по направлениям подготовки: 03.04.02 «Физика», 22.04.01 «Материаловедение и технологии материалов».
