Стань специалистом, который создает материалы и устройства для квантовых компьютеров, квантово-защищенной связи и квантовых сенсоров. Студенты трека учатся применять машинное обучение и нейронные сети для моделирования физических свойств новых материалов на уровне квантовой природы этих свойств, изучают современные методы исследования структуры твердых тел и анализа экспериментальных данных. Занятия ведут сотрудники институтов РАН и научно-исследовательских лабораторий НИТУ МИСИС. Университет участвует в реализации дорожной карты Росатома по квантовым вычислениям и дорожной карты РЖД по квантовым коммуникациям. Выпускники смогут работать в компаниях-разработчиках оборудования и его элементной базы, аналитических компаниях, научно-производственных объединениях.
Рассчитывать различные характеристики материалов и устройств на основе их квантовых физических моделей с использованием компьютерных программ
Проводить физические измерения для исследования материалов методами электронной микроскопии и рентгеновской спектроскопии, дифрактометрии
Настраивать и использовать измерительные приборы для спектроскопии, дифрактометрии, микроскопии
Обрабатывать и анализировать результаты измерений и испытаний с помощью статистических методов
Кем я буду работать?
Инженер квантовых технологий
Специалист по квантовым коммуникациям
Сотрудник технологического стартапа
Специалист по квантовым сверхпроводниковым сенсорам
Инженер по машинному обучению и нейронным сетям
Специалист по измерительным установкам для структурного анализа
Аналитик баз данных с применением нейросетей
Где я буду проходить практику?
Где я буду проходить практику?
Студенты трека проходят практику в научных центрах и высокотехнологичных компаниях.
Какие исследования я буду проводить?
На треке «Инженерия квантовых технологий» студенты вуза проводят исследования в области физики твердого тела, квантово-механического моделирования материалов и устройств для квантовых сенсоров, исследования структуры материалов дифрактометрическими методами, исследуют взаимодействие электромагнитного излучения с веществом для разработки различных поглощающих покрытий, исследуют теоретические основы перехода квантового поведения систем в классическое, теоретическое описание квантового хаоса в системах многих тел.
Что меня ждет после выпуска?
По окончании обучения вы сможете работать инженером по квантовым измерениям структуры материалов и сенсорике в научных центрах и высокотехнологичных компаниях, занимающихся квантовыми коммуникациями и сенсорикой, разработкой новых материалов. Выпускники могут участвовать в создании квантовых устройств и их элементной базы, моделировать свойства материалов и использовать новые технологии для анализа больших данных. Для глубокого изучения технологии материалов, сверхпроводимости и квантовых явлений можно продолжить обучение на программе «Квантовое материаловедение», открывающей путь к созданию новых квантовых технологий.
К.ф.-м.н., доцент кафедры теоретической физики и квантовых технологий, в.н.с. лаборатории «Моделирование и разработка новых материалов»
Эксперт по прогнозированию упругих свойств на основе машинного обучения с использованием сокращенных наборов данных точных вычислений. Методом машинного обучения спрогнозировала упругие свойства бинарных и тройных ОЦК сплавов Ti и Zr с разупорядоченной структурой и 34 различными легирующими элементами.
К.ф.-м.н., доцент кафедры теоретической физики и квантовых технологий, н.с. теоретического отдела ИФВД РАН
Научные интересы: исследования эволюции спектра спиновых возбуждений и определяющего ближний порядок структурного фактора в мультиобменной модели Гейзенберга; предсказание существования изотропных квантовых геликоидов, спиновая щель которых мала не в точке, а вдоль линии в зоне Бриллюэна.
Д.ф.-м.н., профессор кафедры теоретической физики и квантовых технологий, в.н.с. Института физической химии и электрохимии им. А.Н.Фрумкина (ИФХЭ РАН)
В рамках теории упругости жидких кристаллов ученый построил полную физическую модель формирования пор в биомембранах живых клеток, которая помогла объяснить наблюдавшиеся противоречия в предыдущих экспериментах, проведенных по всему миру за последние 40 лет. Также с помощью полученной модели можно предсказать реакцию мембраны на то или иное воздействие. Научные интересы: биологические и модельные липидные мембраны, механика и термодинамика мембран, фазовые переходы в мембранах, слияние и деление мембран, порообразование, ионный канал, антимикробный пептид.
Д.ф.-м.н., профессор кафедры теоретической физики и квантовых технологий, в.н.с Института теоретической физики им. Л.Д. Ландау (ИТФ РАН)
Эксперт в области физики конденсированного состояния. Научные интересы: электронные свойства низкоразмерных и сильно анизотропных проводников, магнитные квантовые осцилляции в металлах,магнитосопротивление, волны зарядовой и спиновой плотности, сильно взаимодействующие электронные системы и соединения тяжелых фермионов, органические металлы и сверхпроводники, сверхпроводимость на фоне волн зарядовой/спиновой плотности, высокотемпературные сверхпроводники, структура поверхности жидкого гелия и поверхностные квантовые состояния частиц вблизи нее.
К.ф.-м.н., доцент кафедры теоретической физики и квантовых технологий, заместитель генерального директора и директор Института металлургии и машиностроения ОАО «НПО «ЦНИИТМАШ»
Эксперт по цифровой системе управления качеством и экономическими показателями при производстве крупных ответственных изделий, в том числе энергетического и атомного машиностроения. Разработчик материалов для перспективных реакторов ВВЭР-С и ВВЭР-СКД. Разработчик технологий и оборудования 3D-печати из керамических материалов и материалов склонных к трещинообразованию.
Д.ф.-м.н., профессор кафедры теоретической физики и квантовых технологий, в.н.с. лаборатории сверхпроводниковых квантовых технологий
Специалист в области физики низких температур. Научные интересы: сверхпроводимость, сверхпроводниковая электроника, наноэлектроника, однофотонные датчики космического излучения.
К.ф.-м.н., доцент кафедры теоретической физики и квантовых технологий, директор дизайн-центра квантового проектирования
Специалист в области квантовой электродинамики цепей гранулированных алюминиевых резонаторов, проектирования элементов и систем квантовых процессоров, а также квантовых симуляторов на основе сверхпроводниковых кубитов. Эксперт в области физики твердотельных наноструктур. Научные интересы: транспортные и оптические свойства полупроводников и квантово-размерных полупроводниковых гетероструктур, полупроводниковые источники и детекторы электромагнитного излучения терагерцевого диапазона, полупроводниковые фотоэлектрические преобразователи электромагнитного излучения.
К.ф.-м.н., доцент кафедры теоретической физики и квантовых технологий, с.н.с. Физического института им Лебедева (ФИ РАН)
Эксперт в области физики твердотельных наноструктур. Научные интересы: транспортные и оптические свойства полупроводников и квантово-размерных полупроводниковых гетероструктур, полупроводниковые источники и детекторы электромагнитного излучения терагерцевого диапазона, полупроводниковые фотоэлектрические преобразователи электромагнитного излучения.
К.ф.-м.н., доцент кафедры теоретической физики и квантовых технологий/ заведующий лабораторией отдела теоретических исследований института кристаллографии им. А.В. Шубникова (ИК РАН)
Научные интересы: численное моделирование оптически хиральных планарных диэлектрических структур; разработка принципов проектирования планарных фотонных структур — метаповерхностей с резонансами максимальной хиральной проницаемости; теория свойств вращательно- симметричных хиральных метаповерхностей, поддерживающих острые резонансы с максимальной оптической хиральностью, определяемой точным формированием связанных состояний в континууме.
Базовое высшее образование (обновленная модель) — синтез бакалавриата и специалитета с балансом фундаментальных знаний и практической подготовки. Студенты сами выбирают срок обучения — от 4 до 6 лет. На 1–2 курсе — изучаются общие дисциплины, формирующие основу профессиональных знаний. На 3 курсе происходит выбор карьерного трека и углубленное изучение профильных дисциплин. После трека со сроком обучения 5–6 лет можно поступить в аспирантуру без необходимости учиться в магистратуре или на программе специализированного высшего образования.
Порядок поступления остался прежним: поступить на программы базового высшего образования можно сразу после школы или колледжа — требования как в бакалавриате.
Подать документы* на поступление можно несколькими способами:
Прийти в Университет МИСИС. Контакты приемной комиссии по ссылке.
Пошаговый алгоритм поступления можно посмотреть здесь.
*Приём документов начинается с 20 июня.
В качестве результатов вступительных испытаний признаются результаты ЕГЭ или результаты вступительных испытаний. На странице каждого направления подготовки можно найти списки ЕГЭ для обязательных предметов и предметов по выбору.
Посмотреть полный список достижений, за которые начисляют дополнительные баллы, можно здесь.
Вся информация о платном обучении размещена по ссылке.
Получить социальный налоговый вычет может Заказчик по договору. Ознакомиться с подробной информацией можно на странице в разделе «Информация о предоставлении налогового вычета».
На проживание в общежитии могут рассчитывать все иногородние студенты*, в том числе, поступившие на платные места.
* студенты, прописанные в других государствах, субъектах Российской Федерации, а также жители дальнего Подмосковья.
Студенты поступают на укрупненную группу специальностей и на первом курсе выбирают направление подготовки и знакомятся с актуальным списком образовательных траекторий. Выбор конкретного трека происходит на втором курсе — к этому времени перечень может быть расширен в зависимости от потребностей рынка и запросов работодателей. При распределении на треки учитываются интересы и успеваемость студентов. На самые востребованные треки возможен конкурс. На третьем и последующих курсах, если появляются новые предложения траекторий, можно будет сменить свой трек или остаться на ранее выбранном.
*Приём документов начинается с 20 июня.