Полупроводниковые преобразователи энергии

Программа магистратуры «Полупроводниковые преобразователи энергии» готовит специалистов в области разработки и производства компонентов и материалов для оптоэлектроники и нанофотоники. Студенты изучают полупроводниковые преобразователи электроэнергии, разрабатывают технологии zero-energy домов, работают над исследованиями в области космической фотоэнергетики, созданием светоизлучающих диодов, солнечных батарей, детекторов ядерных частиц и предлагают новые решения для преобразования энергии. Выпускники программы становятся учеными-исследователями, которые могут продолжить обучение на программах аспирантуры и строить карьеру в науке или устроиться в ведущие российские и международные лаборатории бизнес-компаний для работы с инновационными продуктами энергетической отрасли.

Программа магистратуры реализуется в многотрековом формате и включает два трека: «Перспективные полупроводниковые оптоэлектронные приборы», «Полупроводниковая электроника на основе широкозонных материалов».

2 года обучения

Очная форма обучения на русском языке

Институт новых материалов

Код направления 11.04.04
Электроника и наноэлектроника

Узнай количество бюджетных мест и платных мест

40

Проходной балл в 2024 году

Вступительные испытания и минимальные баллы:

Вступительное испытание по направлению подготовки — 40

Программа вступительного испытания

50+
видов стипендий для «бюджетников» и «платников»
30+
наименований в списке индивидуальных достижений
Стоимость контрактного обучения в  год
380 000 ₽

Приемная комиссия

Мария Александровна Баранова

Руководитель приемной комиссии

+7 495 638-46-78

+7 495 638-30-78

Адрес: г. Москва, Ленинский проспект, д. 4

vopros@misis.ru

Преимущества программы

Для кого программа?
Актуальность программы
Индивидуальная траектория обучения
Совмещение работы и учебы
Практико-ориентированный подход
Инфраструктура для исследований
Дополнительные возможности для студентов
Участие в международных коллаборациях

Дисциплины программы

20
предметов в области материаловедения, изучения оборудования и современных методов диагностики приборов для решения актуальных задач, связанных с изготовлением изделий из новых материалов

Ключевые дисциплины:

Компьютерные технологии в научных исследованиях

Проектирование и технология электронной компонентной базы

Методы характеризации полупроводниковых материалов и структур

Приборные структуры на широкозонных полупроводниках

Далее

Практические навыки

  • Проектирование полупроводниковых приборов и изделий на их основе
  • Использование программных пакетов системы автоматизированного проектирования (САПР) микроэлектроники
  • Разработка современной электронной компонентной базы для полупроводниковых устройств
  • Владение методами сбора данных, изучения, анализа и обобщения научно-технической информации
  • Определение экономической целесообразности внедрения новых технологий и процессов
  • Планирование научно-исследовательской работы
  • Проведение научно-исследовательских и технологических экспериментов
  • Обработка экспериментальных результатов с применением современных информационных технологий и технических средств

Преподаватели

Александр Яковлевич Поляков

К.т.н., профессор кафедры ППЭ и ФПП, заведующий лабораторией «Ультраширокозонные полупроводники»

Окончил МИСиС в 1973 году, работал в НИИПФ (1973-1982 гг.), Гиредмет (1982-2014 гг.), к.т.н. с 1983 г. Стажировки в Университете Карнеги-Меллон (США) в 1990-1992, 1995-1997, 2003-2005 гг., Бостонском университете в 2000 г., в Университете Чонбук (Корея) — в 2011-2012 гг. и 2013-2014 гг. В НИТУ МИСиС с 2014 г. Направление исследований — широкозонные материалы и приборы на их основе.

+7 495 237-21-29
poliakov.ai@misis.ru

Данила Сергеевич Саранин

К.т.н., ст. преподаватель, заместитель заведующего лабораторией перспективной солнечной энергетики, действующей в рамках стратегического проекта «Материалы будущего» программы «Приоритет 2030»

Проекты, связанные с перовскитной оптоэлектроникой.

saranin.ds@misis.ru

Светлана Петровна Кобелева

К.ф.-м.н., доцент кафедры полупровод­никовой электроники и физики полупровод­ников, старший научный сотрудник

Проекты, связанные с физикой полупроводников, полупроводниковой метрологией.

+7 495 955-01-50
kob@misis.ru

Сергей Иванович Диденко

К.ф.-м.н., доцент, заведующий кафедрой полупровод­никовой электроники и физики полупровод­ников

Разработка и исследование детекторов частиц и фотонов, солнечных элементов на широкозонных материалах (GaAs, алмаз, перовскит).

+7 499 237-21-29
didenko@misis.ru

Евгений Борисович Якимов

Д.ф.-м.н., профессор кафедры полупровод­никовой электроники и физики полупровод­ников

Область научных интересов: полупроводники, физика дефектов, растровая электронная микроскопия.

+7 499 237-21-29
yakimov.eb@misis.ru

Константин Иванович Таперо

Д.т.н., профессор кафедры полупровод­никовой электроники и физики полупровод­ников, ген. директор АО «НИИП»

Проекты, связанные с исследованиями и моделированием надежности электронной компонентной базы в условиях ионизирующего излучения космического пространства.

tapero.ki@misis.ru

Наргиза Тухтамышевна Вагапова

К.х.н., доцент кафедры полупроводниковой электроники и физики полупроводников, начальник отдела АО «НПП «Квант»

Проекты, связанные с фотовольтаикой, энергообеспечением космических аппаратов.

+7 495 602-91-26
vagapova.nt@misis.ru

Показать всех преподавателей Скрыть

Возможности для студентов и трудоустройство

НИТУ МИСИС сотрудничает с ведущими компаниями и научно-исследовательскими организациями. Большинство выпускников продолжает заниматься научными исследованиями и поступает на программы аспирантуры или становится специалистами R&D технологических компаний и стартапов, проектировщиками инфраструктуры IoT и «умного» города.

Осваиваемые профессии

  • Специалист/инженер по разработке волоконно-оптических датчиков
  • Инженер-испытатель оптоэлектроники
  • Инженер солнечных электростанций
  • Инженер микроэлектроники
  • Инженер оптико-электронных приборов
  • R&D-менеджер технологических компаний и стартапов
  • Инженер-разработчик интегральных схем
  • Проектировщик инфраструктуры «умного дома»
  • Инженер-электроник
  • Инженер-разработчик изделий электронной техники
  • R&D-менеджер технологических компаний и стартапов
  • Инженер-испытатель полупроводников
  • Инженер-технолог по производству изделий микроэлектроники
  • Инженер-конструктор интегральных схем
  • Инженер микроэлектроники

Вопросы и ответы

Как подать документы?
За что я могу получить дополнительные баллы?
Где можно ознакомиться с информацией о заключении договора при поступлении на внебюджетные места?
Могу ли я получить налоговый вычет за обучение?
Кому предоставляется общежитие?

Фотогалерея

Отзывы студентов

Садыков Жакыпбек, инженер-исследователь Центра инфраструктурного взаимодействия и партнерства MegaScience

Данная программа была выбрана мной по причине актуальности полупроводниковой промышленности и технологии в целом в наше время. На основе них производятся практически все современные цифровые устройства. Во время учебы было принято участие в конференциях Дни науки МИСИС, международной конференции «Фундаментальные и прикладные вопросы физики» 2020. Благодаря обучению на данной программе удалось стать участником эксперимента SND@LHC на большом адронном коллайдере, эксперимента NEWS в лаборатории Гран-Сассо (Италия).

Другие программы подготовки

Материалы и технологии магнитоэлектроники

Программа направлена на подготовку высококвалифицированных специалистов в области магнитоэлектроники, которые занимаются созданием, диагностикой и применением современных перспективных магнитных материалов и приборов на их основе. Студенты изучают основные классы магнитных материалов в макро- микро- и наноразмерном исполнении и технологии получения этих материалов. Среди объектов изучения — материалы, применяемые для магнитной записи информации, радиопоглощения и радиоэкранирования, гипертермии и адресной доставки лекарств, активных сред СВЧ-электроники, автоматики и телевизионной техники, IoT. Выпускники программы востребованы как в научно-исследовательских организациях, так и в высокотехнологичных компаниях в качестве инженеров-технологов и специалистов R&D департаментов.

Технологии микро- и наноэлектроники

Специалист в области микро- и наноэлектроники должен обладать глубокими знаниями в таких направлениях, как материаловедение и физика полупроводников, понимать физические основы технологических процессов создания новых материалов, обладать способностью к саморазвитию и быстрой адаптации. Магистранты участвуют в выполнении научно-исследовательских работ по математическому моделированию технологий получения новых материалов, оптимизации режимов технологических процессов производства изделий микро- и наноэлектроники, в разработке способов модифицирования компонентов твердотельной электроники и интегральных микросхем, а также методов технического контроля и испытания изделий. В рамках программы ведется подготовка специалистов для отраслевых и академических НИИ, производственных предприятий электронной отрасли, включая предприятия ВПК.